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DMT10H010LPS-13  与  BSC160N10NS3 G  区别

型号 DMT10H010LPS-13 BSC160N10NS3 G
唯样编号 A36-DMT10H010LPS-13-1 A-BSC160N10NS3 G
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 13.9mΩ
上升时间 - 15ns
Qg-栅极电荷 - 25nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3000 pF @ 50 V -
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 21S
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 71 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 -
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 9.4A(Ta),98A(Tc) 42A
配置 - Single
长度 - 5.9mm
下降时间 - 5ns
高度 - 1.27mm
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 1.2W(Ta),139W(Tc) 60W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 9.5mΩ@13A,10V -
典型关闭延迟时间 - 22ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3
驱动电压 4.5V,10V -
典型接通延迟时间 - 13ns
库存与单价
库存 4,500 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥5.1777
100+ :  ¥4.3065
1,250+ :  ¥3.9204
2,500+ :  ¥3.762
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT10H010LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.2W(Ta),139W(Tc) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~150℃(TJ) 100V 9.4A(Ta),98A(Tc)

¥5.1777 

阶梯数 价格
10: ¥5.1777
100: ¥4.3065
1,250: ¥3.9204
2,500: ¥3.762
4,500 当前型号
BSC160N10NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC160N10NS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC079N10NSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC079N10NS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC079N10NS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC079N10NSGATMA1_100V 13.4A 7.9mΩ 20V 156W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
BSC160N10NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC160N10NS3GATMA1_100V 42A 13.9mΩ 20V 60W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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